Bản quyền thuộc về Đại học Bách Khoa Hà Nội
Địa chỉ: Số 1 Đại Cồ Việt, Hai Bà Trưng, Hà Nội
Luận án tiến sĩ: Chế tạo và nghiên cứu các đặc tính của dây nano Si - NCS Nguyễn Thị Thúy
Tên luận án: Chế tạo và nghiên cứu các đặc tính của dây nano SiChuyên ngành: Vật liệu Điện tử Mã số: 62440123
Nghiên cứu sinh: Nguyễn Thị Thúy
Người hướng dẫn khoa học:
GS.TS. Nguyễn Đức Chiến
PGS. TS. Nguyễn Hữu Lâm
Cơ sở đào tạo: Trường Đại học Bách khoa Hà Nội
TÓM TẮT KẾT LUẬN MỚI CỦA LUẬN ÁN
1. Việc tổng hợp SiNW bằng phương pháp bốc bay nhiệt đã được nghiên cứu một cách tương đối có hệ thống. Cụ thể, đã lần lượt khảo sát ảnh hưởng của chiều dày lớp kim loại xúc tác, nhiệt độ tổng hợp, thời gian tổng hợp, lưu lượng khí mang, thành phần nguồn rắn đến hình thái, cấu trúc và tính chất của dây nanô silic. Trên cơ sở đó, có thể chọn chế độ công nghệ thích hợp cho sản phẩm dây nanô silic với đặc tính nhất định.
2. Về lý luận, những kết quả của luận án đã góp phần làm sáng tỏ cơ chế phát quang của SiNW nói riêng và của các cấu trúc nanô silic nói chung. Các đỉnh phổ ở vùng bước sóng ngắn từ 400÷650 nm có liên quan đến các sai hỏng, các exciton tự bẫy và có sai hỏng do nút khuyết ôxi. Trong khi đó, sự phát xạ ở vùng bước sóng dài có thể liên quan đến hiện tượng giam giữ lượng tử trong lõi Si cho các trường hợp SiNW có đường kính nhỏ hoặc/và liên quan đến các cụm nano silic trong mạng nền SiOx. Từ đó đã thấy rằng sự phát quang này liên quan chặt chẽ với lớp ôxít silic được hình thành trên bề mặt mẫu do quá trình ôxi hóa trong quá trình tổng hợp.
3. Góp phần hiểu biết sâu sắc hơn về vật liệu silic cấu trúc nanô.
Bước đầu đã chế tạo được các SiNW bằng phương pháp phún xạ.
Nguyen Thi Thuy.rar